평택 신규 라인 가동, 내년부터 5세대 D램으로 본격 전환
[데일리e뉴스= 천선우 기자] 삼성전자가 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용하며 차세대 D램 라인업에도 전면 확대 도입한다.
삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 글로벌 고객사에 공급하는 등 양산 체제를 구축했다고 25일 밝혔다.
EUV 공정은 극자외선 파장의 광원을 사용해 반도체 회로를 설비하는 기술로, 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정을 활용해 14나노 초반대 '4세대 10나노급 D램 양산 기술'을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품으로 향상시킨다는 계획이다.
아울러 내년부터는 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램을 양산하고, 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화할 방침이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는 데 기여할 것"이라고 말했다.
한편 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.
이외에도 올해 하반기 경기도 평택 자사 사업장에서 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체계를 구축할 계획이다.
